新型无碳前体在高k氧化物薄膜化学气相沉积上的应用

• 作者: 刘治国 方峰 李爱东 董岩 蒋建清 袁涛 邵起越
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无水硝酸盐 化学气相沉积(CVD) 高介电常数(high-k)栅介质
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 574-577
• 页数: 4页
• 分类号: TN304|O484.1
• 字数: 3407字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2008.04.014

摘要

通过一种简便可行的合成工艺,成功合成了3种具有良好挥发性的无碳前体:无水硝酸钛、硝酸锆和硝酸铪.以这些无水金属硝酸盐为前体,采用化学气相沉积(CVD)工艺成功淀积了具有良好介电性能的3种高介电常数(high-k)氧化物薄膜:TiO2、ZrO2和HfO2薄膜.这类不含碳的金属前体能直接在Si衬底上气相沉积,无需引入氧化气体,且沉积温度较低,可避免低介电常数界面层生成,在化学气相沉积栅介质薄膜方面独具优势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董岩	东南大学材料科学与工程学院	39	397	12.0	17.0
2	蒋建清	东南大学材料科学与工程学院	147	1301	17.0	25.0
3	李爱东	南京大学材料科学与工程系	7	43	4.0	6.0
4	方峰	东南大学材料科学与工程学院	73	438	10.0	17.0
5	邵起越	东南大学材料科学与工程学院	10	70	3.0	8.0
6	刘治国	南京大学材料科学与工程系	18	114	4.0	10.0
7	袁涛		1	1	1.0	1.0