微晶硅薄膜沉积过程中的等离子体光学与电学特性研究

• 作者: Amanatides E Mataras D 张发荣 张晓丹 赵静 赵颖
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 等离子体 光发射谱 衬底偏压 辉光功率
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 流体、等离子体和放电
• 页码范围: 3022-3026
• 页数: 5页
• 分类号: O53
• 字数: 3362字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.065

摘要

采用空间分辨光发射谱和傅里叶变换功率阻抗分析仪研究了衬底偏压和辉光功率对微晶硅薄膜沉积过程中的等离子体光学与电学特性的影响.研究表明:在交流偏压(AC)、悬浮(floating)、负直流加交流(-DC+AC)偏压下,Hα发射强度空间分布规律相似,平均鞘层长度相等;正直流加交流(+DC+AC)偏压和接地(grounded)时Hα发射强度显著增强,并存在双峰(double layers)现象.增大功率,Hα发射强度也随着增大,并在17W与22W之间产生跳变.电学测试发现功率增大,等离子体电阻降低,电抗降低,电容性增强.并对此进行了分析.