不同中心波长飞秒脉冲激发InAs表面辐射太赫兹波的机理研究

• 作者: 孙红起 张存林 杨国桢 赵国忠
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 太赫兹波 InAs Dember电场 谷间散射效应
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 790-795
• 页数: 6页
• 分类号: O56
• 字数: 5240字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.02.026

摘要

研究了p型(100)InAs在不同中心波长飞秒激发光(750-850 nm)作用下的太赫兹(THz)波辐射特性.这种太赫兹辐射的光谱性质与光学Dember效应密切相关,飞秒脉冲激发下产生的载流子在InAs表面的Dember场内做加速运动,从而辐射出THz电磁波.实验结果表明:不同中心波长的激发光作用下,InAs表面产生的Dember电场、光生载流子浓度、谷间散射效应以及处于不同状态的载流子数目都发生了变化,因而激发出太赫兹波的功率、振幅、频谱分布和有效谱宽是不同的.这项研究将有利于THz时域光谱技术以及实验系统的优化,对InAs表面辐射太赫兹电磁波的超快过程及其物理机理也作了进一步的解释.