功率密度对VHF-PECVD制备μc-Si:H的影响

• 作者: 卢景霄 张庆丰 文书堂 杨根 谷锦华 郭学军 陈永生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: μc-Si:H VHF-PECVD 功率密度 孵化层 成核密度
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1160-1163
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3038字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.06.027

摘要

在不同功率密度下用甚高频化学气相沉积(VHF-PECVD)法制备了一系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜,并对薄膜的微观结构进行了研究.重点研究了在较低的功率密度下,功率密度的改变对薄膜沉积速率和结晶状况的影响.结果表明,随着功率密度的提高,沉积速率逐渐加大,进一步提高功率密度时,沉积速率趋于饱和;与此同时,薄膜的孵化层厚度和形核密度随功率密度而变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈永生	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	67	484	11.0	19.0
2	卢景霄	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	100	570	12.0	17.0
3	杨根	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	7	39	4.0	6.0
4	张庆丰	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	8	40	5.0	6.0
5	郭学军	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	9	41	5.0	6.0
6	文书堂	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	8	21	3.0	4.0