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摘要:
NAND Flash具有高存储密度和高存储速率的特点,在嵌入式系统领域得到了广泛应用.但其固有的擦除机制和存在有坏块这一致命弱点,成为其在应用中的主要障碍.本文提出了一种应用于FAT文件系统上的坏块处理方法,使用Flash上其他的空闲块或者空闲空间来代替坏块,并将坏块在FAT表中作出标记以后不作使用.这种方法彻底屏蔽了坏块对上层应用的影响,并对存储介质没有造成任何不良影响,从而很好地克服了上述障碍.工程项目中的应用证明了其较高的可靠性.
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文献信息
篇名 一种基于FAT文件系统的NAND Flash坏块处理方法
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 神经信号 中枢神经系统 CMOS 卡肤电极
年,卷(期) 2008,(2) 所属期刊栏目 有关处理方法设计等
研究方向 页码范围 716-719
页数 4页 分类号 TP333.3
字数 2993字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.02.085
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘昊 东南大学国家专用集成电路系统工程中心 40 408 12.0 19.0
2 罗晓 东南大学国家专用集成电路系统工程中心 1 23 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
神经信号
中枢神经系统
CMOS
卡肤电极
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
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21
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27643
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