芯片的EOS失效分析及焊接工艺优化

• 作者: 俞宏坤 吴顶和 沈萌 邵雪峰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电过应力 失效分析 MOSFET 芯片焊接 工艺优化
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 381-386
• 页数: 6页
• 分类号: TN306
• 字数: 4618字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.02.037

摘要

为了研究电过应力对功率MOSFET可靠性的影响,分别对含有焊料空洞、栅极开路和芯片裂纹缺陷的器件进行失效分析与可靠性研究.利用有限元分析、电路模拟及町靠性加速实验,确定了器件发生EOS失效的根本原因,并通过优化芯片焊接温度.时间曲线和利用开式感应负载测试方法,比较了工艺优化前、后器件抗EOS的能力,结果表明优化后器件的焊料空洞含量显著减少,抗EOS能力得到明显提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵雪峰		1	11	1.0	1.0