非晶态碲镉汞薄膜的射频磁控溅射生长及其结构和光学特性

• 作者: 姬荣斌 孔令德 孔金丞 张朋举 李竑志 李雄军 王善力 赵俊
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 非晶态碲镉汞 射频磁控溅射 光学带隙
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 733-736
• 页数: 4页
• 分类号: O742
• 字数: 2435字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.04.022

摘要

在玻璃衬底上用射频磁控溅射技术进行了非晶态碲镉汞(α-HgCdTe,α-MCT)薄膜的低温生长.采用X射线衍射(XRD)和原子力显微(AFM)技术对所生长的薄膜进行分析研究,所生长的非晶态HgCdTe薄膜表面平整,没有晶粒出现,获得了射频磁控溅射生长非晶态HgCdTe薄膜的"生长窗口".采用傅里叶红外透射光谱分析技术对非晶态HgCdTe薄膜进行了光学性能研究,在1.0～2.0μm范围内研究了薄膜的透射谱线,获得了薄膜的吸收系数(～8×104cm-1),研究了其光学带隙(约0.83eV)和吸收边附近的3个吸收区域.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姬荣斌		50	200	7.0	10.0
2	李雄军		24	68	4.0	7.0
3	孔金丞		26	70	4.0	6.0
4	孔令德		12	37	4.0	4.0
5	赵俊		19	57	4.0	6.0
6	李竑志		4	18	4.0	4.0
7	王善力		5	16	3.0	4.0
8	张朋举		2	7	1.0	2.0