液相外延法制备0.55eV-GaInAsSb四元合金薄膜及其在热光伏器件中的应用

• 作者: 刘磊 杨晓丽 汪宇 陈诺夫 高福宝
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaInAsSb 液相外延 热光伏 光谱响应
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1258-1262
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 439字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.07.006

摘要

利用液相外延法(LPE)在n型GaSb衬底上成功制备了用于热光伏电池的Ga1-xInxAsySb1-y四元合金薄膜.通过原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了分析评价.x射线能谱(EDAX)分析表明四元合金薄膜的成分为x=0.2,y=0.17.红外傅里叶变换透射谱分析表明,其室温下的吸收截止波长为2.256μm,对应禁带宽度为0.55eV.室温下的霍尔测试结果表明外延膜具有良好的电学性能,其非故意掺杂的薄膜表现为P型,载流子浓度为6.1×1016 cm-3,迁移率为512cm2/(V·s).又进一步利用Ga1-xInxAsySb1-y薄膜制备了不同结构的GaInAsSb基热光伏电池,光谱响应测试表明其量子效率可达60%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘磊	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	181	1653	22.0	30.0
2	陈诺夫	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	33	154	6.0	11.0
3	杨晓丽	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	5	27	3.0	5.0
4	汪宇	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	1	1	1.0	1.0
5	高福宝	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	1	1	1.0	1.0