第Ⅵ族元素半导体纳米线的可控合成及其纳米电子学器件研究

• 作者: 兰林峰 刘红梅 曹镛 覃东欢 陈军武 陶洪
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: Ⅵ族半导体 纳米线 场效应晶体管
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: "2008第七届中国国际纳米科技(武汉)研讨会"论文专辑
• 页码范围: 76-79,84
• 页数: 5页
• 分类号: O472+.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2008.10.020

摘要

采用化学液相反应,以亚硒酸或者原碲酸为原料,合成出尺寸均匀、高结晶度的硒、碲纳米线.高分辨电镜分析结果表明:合成的硒、碲纳米线均为三方晶单晶结构,生长方向沿其螺旋轴即[001]方向生长.结合光刻、电子束刻蚀技术,分别制备了硒、碲纳米线场效应晶体管器件(FET).对器件测试的结果显示:硒和碲纳米线均为P型半导体,其相应的空穴迁移率分别为30.7,70cm2V-1 s-1.这对新型纳米线电子学器件的开发应用具有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	覃东欢	华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室	14	56	4.0	7.0
2	陶洪	华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室	8	14	3.0	3.0
3	陈军武	华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室	15	224	6.0	14.0
4	兰林峰	华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室	3	5	1.0	2.0
5	刘红梅	华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室	3	1	1.0	1.0