高κ介质异质栅全耗尽SOI MOSFET二维解析模型

• 作者: 刘红侠 栾苏珍 蔡乃琼 贾仁需
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 异质栅 绝缘衬底上的硅 阈值电压 解析模型
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3807-3812
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3025字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.06.083

摘要

为了研究高介电常数(高κ)栅介质材料异质栅中绝缘衬底上的硅和金属-氧化物-硅场效应晶体管的短沟道效应,为新结构器件建立了全耗尽条件下表面势和阈值电压的二维解析模型.模型中考虑了各种主要因素的影响,包括不同介电常数材料的J影响,栅金属长度及其功函数变化的影响,不同漏电压对短沟道效应的影响.结果表明,沟道表面势中引入了阶梯分布,因此源端电场较强;同时漏电压引起的电势变化可以被屏蔽,抑制短沟道效应.栅介电常数增大,也可以较好的抑制短沟道效应.解析模型与数值模拟软件ISE所得结果高度吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘红侠	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
2	贾仁需	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	12	53	4.0	7.0
3	栾苏珍	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	7	28	3.0	5.0
4	蔡乃琼	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	5	23	3.0	4.0