基于PID技术的深能级光离化截面测试方法

• 作者: 李新化 王莹
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光离化截面 深能级中心 PID
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1585-1588
• 页数: 4页
• 分类号: TNCL474
• 字数: 3920字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.08.034

摘要

在分析GaN中深能级中心与入射光子问相互作用的基础上,提出了一种基于PID(prortional-integral-deriva-tive)技术的深能级中心光离化截面的测试方法.在针对分子束外延生长GaN材料的光离化截面测试中,使用该方法得到的测试结果同Klein等人报道的HEMTs器件中光离化谱吻合较好,表明基于PID技术的深能级中心光离化截面测试方法能够精确地测试GaN材料中深能级光离化截面.与现有技术相比,该方法的优点是操作方便、测试相对准确,可作为一种缺陷"指纹"鉴定的新方法应用于GaN材料的深能级研究中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王莹	安徽大学电子科学与技术学院	31	59	5.0	6.0
2	李新化	中国科学院固体物理研究所材料物理重点实验室	5	3	1.0	1.0