电场对半导体GaAs量子阱中束缚磁极化子性质的影响

• 作者: 单淑萍 肖景林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱 束缚磁极化子 线性组合算符 基态能量
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 438-441
• 页数: 4页
• 分类号: TN301.1
• 字数: 1074字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.03.008

摘要

研究了在外加电场作用下无限深GaAs半导体量子阱中束缚磁极化子的性质,采用线性组合算符及幺正变换方法导出了量子阱中弱耦合束缚磁极化子的基态能量与阱宽、电场强度、磁感应强度、库仑束缚势的变化关系,同时讨论了振动频率和库仑束缚势、外场之间的变化关系.数值计算结果表明:基态能量的绝对值将随电场强度和库仑束缚势的增加而增加,随磁感应强度和阱宽的增加而减小.当阱宽较小时,量子尺寸效应较为明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖景林	河北科技师范学院数理系	260	887	12.0	15.0
5	单淑萍	河北科技师范学院数理系	2	9	2.0	2.0