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f=210GHz的超高速InP/InGaAs单异质结晶体管
f=210GHz的超高速InP/InGaAs单异质结晶体管
作者:
于进勇
刘新宇
徐安怀
程伟
金智
齐鸣
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
InP
异质结晶体管
聚酰亚胺
平坦化
摘要:
成功地将Polyimide钝化平坦化工艺应用于InP/InGaAs单异质结晶体管制作工艺中.在Vce=1.1V,Ic=33.5mA的偏置条件下,发射极尺寸为1.4μm×1.5μm的器件,其ft达到210GHz.这种器件非常适合高速低功耗方面的应用,例如超高速数模混合电路以及光学通信系统等.
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LabVIEW
低开启电压的InGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管
开启电压
GaAsSb
双异质结晶体管
内容分析
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期刊文献
内容分析
关键词云
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相关文献总数
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文献信息
篇名
f=210GHz的超高速InP/InGaAs单异质结晶体管
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
InP
异质结晶体管
聚酰亚胺
平坦化
年,卷(期)
2008,(3)
所属期刊栏目
研究快报
研究方向
页码范围
414-417
页数
4页
分类号
TN385
字数
848字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2008.03.003
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
刘新宇
中国科学院微电子研究所
141
717
13.0
18.0
2
齐鸣
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
34
145
8.0
9.0
3
徐安怀
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
20
94
7.0
8.0
4
程伟
中国科学院微电子研究所
28
428
9.0
20.0
5
金智
中国科学院微电子研究所
30
92
5.0
8.0
6
于进勇
中国科学院微电子研究所
9
91
8.0
9.0
传播情况
被引次数趋势
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(/年)
引文网络
引文网络
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共引文献
(3)
参考文献
(7)
节点文献
引证文献
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同被引文献
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二级引证文献
(12)
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参考文献(0)
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参考文献(1)
二级参考文献(0)
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参考文献(0)
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参考文献(2)
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参考文献(0)
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参考文献(1)
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2008(2)
参考文献(0)
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引证文献(2)
二级引证文献(0)
2008(2)
引证文献(2)
二级引证文献(0)
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引证文献(4)
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2010(2)
引证文献(1)
二级引证文献(1)
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2012(2)
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研究主题发展历程
节点文献
InP
异质结晶体管
聚酰亚胺
平坦化
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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