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摘要:
成功地将Polyimide钝化平坦化工艺应用于InP/InGaAs单异质结晶体管制作工艺中.在Vce=1.1V,Ic=33.5mA的偏置条件下,发射极尺寸为1.4μm×1.5μm的器件,其ft达到210GHz.这种器件非常适合高速低功耗方面的应用,例如超高速数模混合电路以及光学通信系统等.
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低开启电压的InGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管
开启电压
GaAsSb
双异质结晶体管
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 f=210GHz的超高速InP/InGaAs单异质结晶体管
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 InP 异质结晶体管 聚酰亚胺 平坦化
年,卷(期) 2008,(3) 所属期刊栏目 研究快报
研究方向 页码范围 414-417
页数 4页 分类号 TN385
字数 848字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.03.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘新宇 中国科学院微电子研究所 141 717 13.0 18.0
2 齐鸣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 34 145 8.0 9.0
3 徐安怀 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 20 94 7.0 8.0
4 程伟 中国科学院微电子研究所 28 428 9.0 20.0
5 金智 中国科学院微电子研究所 30 92 5.0 8.0
6 于进勇 中国科学院微电子研究所 9 91 8.0 9.0
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InP
异质结晶体管
聚酰亚胺
平坦化
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
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