面向片上系统的无片外电容CMOS低压差稳压器

• 作者: 徐勇 李伟 王志功 韩鹏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低压差稳压器 极点分离 零极点抵消 无片外电容
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1507-1510
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 760字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.08.018

摘要

提出了一种面向片上系统、不依赖片外电容的CMOS低压差稳压器.通过采用片上极点分离技术和片上零极点抵消技术,保证了没有片外电容情况下低压差稳压器的稳定性.芯片通过华润上华0.5/μm CMOS工艺进行了流片.芯片核心区域(不包括焊盘)尺寸为600μm×480μm.输入电压变化造成的输出电压变化偏差在±0.21%以内.静态电流为39.8μA.10kHz处的电源抑制比为-34dB.100Hz和100kHz处的输出噪声电流谱密度分别为1.65和0.89μV/√Hz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李伟	东南大学射频与光电集成电路研究所	135	939	14.0	23.0
2	王志功	东南大学射频与光电集成电路研究所	342	2153	20.0	29.0
3	徐勇	东南大学射频与光电集成电路研究所	18	101	6.0	9.0
4	韩鹏	东南大学射频与光电集成电路研究所	14	34	4.0	5.0