GaAs PIN二极管的新等效电路模型

• 作者: Zhang Haiying 刘会东 刘训春 吴茹菲 尹军舰 张海英 李潇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs PIN二极管 模型 参数提取
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 672-676
• 页数: 5页
• 分类号: TN31
• 字数: 328字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.04.012

摘要

基于物理原理的分析,提出了GaAs PIN二极管的一种新等效电路模型.GaAs PIN二极管被分成P+n-结、基区和n-n+结三部分分别建模,总的模型由三个子模型组成,从而极大地提高了模型的准确性.相应的模型参数提取过程不要求苛刻的实验或测试条件,简便易操作.研制了15组GaAs PIN二极管来验证模型,测试结果表明模型准确地反映了GaAs PIN二极管的正向和反向特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
2	尹军舰	中国科学院微电子研究所	31	99	6.0	7.0
3	李潇		11	12	2.0	3.0
4	刘训春	中国科学院微电子研究所	43	222	9.0	11.0
5	刘会东	中国科学院微电子研究所	4	16	3.0	4.0
6	吴茹菲	中国科学院微电子研究所	8	18	3.0	3.0