高择优取向铌酸锶钡薄膜的射频磁控溅射制备

• 作者: 傅兴海 叶辉 李跃甫
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控溅射 高择优取向 p-n结效应
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 1229-1235
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 5058字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.02.098

摘要

采用溶胶-凝胶法在(100)Si单晶上预先制备出掺钾(K)的铌酸锶钡(SBN)缓冲层,利用射频磁控溅射法在缓冲层KSBN上沉积出高择优取向的铌酸锶钡薄膜,获得了磁控溅射法制备择优取向铌酸锶钡薄膜的相关工艺参数,研究发现,KSBN缓冲层能够很有效地克服衬底与SBN薄膜之间较大的晶格失配,在氧气氩气的比例为1∶2,工作气压为1.0 Pa,溅射功率300 W,衬底温度300℃,退火温度为800℃的工艺条件下,能够获得c轴高度择优取向的铌酸锶钡铁电薄膜.利用X射线衍射仪,原子力显微镜等仪器分析了薄膜的微结构.通过研究SBN薄膜的电流-电压特性(I-V曲线),发现了类似于半导体p-n结的特性,且结效应的强弱与结晶性能的好坏和是否有缓冲层KSBN相关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶辉	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	50	406	9.0	18.0
2	李跃甫	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	1	6	1.0	1.0
3	傅兴海	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	3	13	2.0	3.0