聚碳硅烷先驱体法制备连续SiC自由膜研究

• 作者: 余煜玺 冯祖德 姚荣迁 张立同 李思维 陈立富
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 聚碳硅烷 先驱体法 碳化硅 自由薄膜
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1446-1449
• 页数: 4页
• 分类号: TQ163|TL344
• 字数: 3761字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2008.09.010

摘要

以聚碳硅烷(PCS)为先驱体,通过自行设计的喷膜板熔融纺出连续PCS自由薄膜,并对其进行氧化交联与高温裂解烧结可制得连续SiC自由薄膜.用扫描电镜分析薄膜表面和横断面的形貌,通过红外光谱(FTIR)分析氧化交联后薄膜的结构,通过拉曼光谱(Raman spectroscopy)、X射线衍射(XRD)与场发射高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对薄膜进行微观分析.结果表明,熔融纺膜与聚碳硅烷先驱体法相结合可制得均匀、致密的连续β-SiC自由薄膜,其厚度可通过调节喷膜板的喷膜口尺寸大小和纺膜速度进行控制,薄膜的厚度大约在10～30μm.