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单晶硅片磨削损伤的透射电子显微分析
单晶硅片磨削损伤的透射电子显微分析
作者:
康仁科
张银霞
郜伟
郭东明
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
单品硅片
磨削
损伤
TEM分析
摘要:
为了揭示硅片自旋转磨削加工表面层损伤机理,采用透射电子显微镜对硅片磨削表面层损伤特性进行了分析.结果表明:粗磨Si片的损伤层中有大量微裂纹和高密度位错;半精磨和精磨si片的损伤层中除了微裂纹和位错外,还存在非晶硅和多晶硅(Si-I相和Si-III相).从粗磨到半精磨,Si片的非晶层厚度从约Onm增大到约110nm;从半精磨剑精磨,Si片的非品层厚度由约110nm减小至约30nm,且非晶层厚度的分布均匀性提高.从粗磨到精磨,Si片损伤深度、微裂纹深度及位错滑移深度逐渐减小,材料的去除方式由脆性断裂方式逐渐向塑性方式过渡.
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文献信息
篇名
单晶硅片磨削损伤的透射电子显微分析
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
单品硅片
磨削
损伤
TEM分析
年,卷(期)
2008,(8)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
1552-1556
页数
5页
分类号
TN305.1
字数
3364字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2008.08.027
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
康仁科
大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室
165
2562
24.0
44.0
2
郭东明
大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室
273
4547
35.0
54.0
3
张银霞
郑州大学机械工程学院
37
170
8.0
11.0
4
郜伟
郑州大学机械工程学院
16
101
5.0
9.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(19)
共引文献
(50)
参考文献
(6)
节点文献
引证文献
(5)
同被引文献
(1)
二级引证文献
(5)
1958(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1980(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1990(4)
参考文献(1)
二级参考文献(3)
1994(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1995(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1999(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
2001(3)
参考文献(0)
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2002(3)
参考文献(0)
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参考文献(1)
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2004(1)
参考文献(0)
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参考文献(0)
二级参考文献(1)
2006(4)
参考文献(1)
二级参考文献(3)
2007(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2008(1)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2008(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2010(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
2012(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
2013(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2014(1)
引证文献(0)
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引证文献(1)
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2018(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
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单品硅片
磨削
损伤
TEM分析
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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