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摘要:
为了揭示硅片自旋转磨削加工表面层损伤机理,采用透射电子显微镜对硅片磨削表面层损伤特性进行了分析.结果表明:粗磨Si片的损伤层中有大量微裂纹和高密度位错;半精磨和精磨si片的损伤层中除了微裂纹和位错外,还存在非晶硅和多晶硅(Si-I相和Si-III相).从粗磨到半精磨,Si片的非晶层厚度从约Onm增大到约110nm;从半精磨剑精磨,Si片的非品层厚度由约110nm减小至约30nm,且非晶层厚度的分布均匀性提高.从粗磨到精磨,Si片损伤深度、微裂纹深度及位错滑移深度逐渐减小,材料的去除方式由脆性断裂方式逐渐向塑性方式过渡.
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关键词云
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文献信息
篇名 单晶硅片磨削损伤的透射电子显微分析
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 单品硅片 磨削 损伤 TEM分析
年,卷(期) 2008,(8) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1552-1556
页数 5页 分类号 TN305.1
字数 3364字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.08.027
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 康仁科 大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室 165 2562 24.0 44.0
2 郭东明 大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室 273 4547 35.0 54.0
3 张银霞 郑州大学机械工程学院 37 170 8.0 11.0
4 郜伟 郑州大学机械工程学院 16 101 5.0 9.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
单品硅片
磨削
损伤
TEM分析
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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