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YBa2Cu3O7-x涂层导体的外延生长和性能对CeO2缓冲层的依赖性
YBa2Cu3O7-x涂层导体的外延生长和性能对CeO2缓冲层的依赖性
作者:
于本方
刘军
李美亚
汪晶
赵兴中
郭冬云
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
YBa2Cu3O7-x镀膜导体
CeO2缓冲层
厚度依赖性
外延生长
摘要:
利用倾斜衬底沉积法在无织构的金属衬底上生长了MgO双轴织构的模板层,在这一模板层上实现了YBa2Cu3O7-x薄膜的外延生长.在外延YBa2Cu3O7-x薄膜前,依次沉积了钇稳定的立方氧化锆和CeO2作为缓冲层.利用X射线衍射2θ扫描、φ扫描、Ω扫描和极图分析测定了这些膜的结构和双轴织构取向,利用Raman光谱表征了其超导相的品质和取向特性,利用扫描电镜和原子力显微镜观测了薄膜的表面形貌和粗糙度.考察了不同厚度的CeO2层对YBa2Cu3O7-x生长和性质的影响.发现了YBa2Cu3O7-x薄膜的外延生长和性能对CeO2的不同厚度具有显著而独特依赖性.讨论了其可能的机理.
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内容分析
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关键词热度
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文献信息
篇名
YBa2Cu3O7-x涂层导体的外延生长和性能对CeO2缓冲层的依赖性
来源期刊
物理学报
学科
物理学
关键词
YBa2Cu3O7-x镀膜导体
CeO2缓冲层
厚度依赖性
外延生长
年,卷(期)
2008,(5)
所属期刊栏目
凝聚物质:结构、热学和力学性质
研究方向
页码范围
3132-3137
页数
6页
分类号
O4
字数
3214字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.081
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
赵兴中
武汉大学物理科学与技术学院
35
134
6.0
10.0
5
刘军
武汉大学物理科学与技术学院
112
592
11.0
18.0
6
李美亚
武汉大学物理科学与技术学院
29
85
5.0
6.0
10
汪晶
武汉大学物理科学与技术学院
8
47
3.0
6.0
11
于本方
武汉大学物理科学与技术学院
4
8
2.0
2.0
12
郭冬云
武汉大学物理科学与技术学院
8
32
4.0
5.0
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引文网络
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(0)
二级引证文献
(0)
2008(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
YBa2Cu3O7-x镀膜导体
CeO2缓冲层
厚度依赖性
外延生长
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
主办单位:
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期:
半月刊
ISSN:
1000-3290
CN:
11-1958/O4
开本:
大16开
出版地:
北京603信箱
邮发代号:
2-425
创刊时间:
1933
语种:
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
174683
相关基金
教育部留学回国人员科研启动基金
英文译名:
the Scientific Research Foundation for the Returned Overseas Chinese Scholars, State Education Ministry
官方网址:
http://www.csc.edu.cn/gb/
项目类型:
学科类型:
期刊文献
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