低温氢化非晶硅薄膜晶体管研究

• 作者: 易茂祥 毛剑波 陈向东
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜晶体管 低温沉积 底栅 刻蚀阻挡 迁移率
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 固体电子器件及电路
• 页码范围: 766-769
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2532字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.03.007

摘要

低温薄膜晶体管(TFT)的研究是开发大面积柔性衬底集成电路的基础.采用底栅TFT结构并入刻蚀阻挡层和钝化保护层,通过工艺参数和工艺流程的设计,研制了100℃低温氢化非晶硅TFT.实验对氢化非晶硅活性层、氮化硅介质层薄膜以及TFT特性进行了测试.所研制的低温TFT导通电流与截止电流之比高达106,场效应电子迁移率为0.825 cm2/Vs,表明适于柔性衬底工艺的100℃低温TFT得到了有效实现.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	易茂祥	合肥工业大学理学院	109	559	12.0	19.0
2	毛剑波	合肥工业大学理学院	23	212	7.0	13.0
3	陈向东	合肥工业大学理学院	27	72	6.0	7.0