门极换流晶闸管(GCT)击穿机理的研究

• 作者: 刘静 王彩琳 马丽 高勇
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 电力半导体器件 门极换流晶闸管 场阻止层 透明阳极 击穿
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件
• 页码范围: 449-452
• 页数: 4页
• 分类号: TN34|TN342.4
• 字数: 3532字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.02.017

摘要

简述了门极换流晶闸管(GCT)的耐压结构及其特点.利用MEDICI软件模拟和分析了具有不同结构参数的四种器件的阻断能力和通流能力,研究了GCT的击穿机理.结果表明,GCT的击穿实质上属于场阻止(FS)型击穿,并非穿通(PT)型击穿.从而指出以往对GCT击穿机理的认识存在局限性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马丽	西安理工大学电子工程系	23	62	4.0	6.0
2	高勇	西安理工大学电子工程系	189	1184	15.0	26.0
3	刘静	西安理工大学电子工程系	58	261	8.0	14.0
4	王彩琳	西安理工大学电子工程系	43	203	8.0	12.0