沉积电位对CdSe纳米晶薄膜的结构、形貌和光学性质的影响

• 作者: 于子龙 介万奇 闫晓红 陈福义
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电沉积 薄膜 量子尺寸效应 CdSe
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 733-736
• 页数: 4页
• 分类号: TN204
• 字数: 3679字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2008.05.009

摘要

使用电化学法在ITO玻璃上制备了CdSe纳米晶薄膜.研究了沉积电位对薄膜晶体结构、表面形貌及光学性质的影响,并讨论了所得样品禁带宽度与晶粒尺寸的关系.X-ray衍射结果表明:沉积电位在-600～-700mV之间均可得到立方相CdSe,晶粒尺寸随沉积电位降低而增大.原子力显微镜观察表明,沉积电位较高时,粒子聚集为块状或柱状,沉积电位较低时,粒子呈现不均匀团聚.透射光谱测试显示:在350～850nm波段范围内,随沉积电位降低,透过率降低,吸收边红移.所得样品的禁带宽度均比体相CdSe大,且随晶粒尺寸的增大而减小,表现出明显的量子尺寸效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	272	1636	19.0	27.0
2	陈福义	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	37	110	5.0	8.0
3	闫晓红	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	5	15	2.0	3.0
4	于子龙	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	6	35	3.0	5.0