130nm以下光刻禁止光学空间周期的系统性研究

• 作者: 曹永峰 朱骏 赵宇航
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 禁止光学空间周期 掩模版误差因子 有效光刻胶扩散长度 光学临近效应修正 离轴照明 深紫外线
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 889-892
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 653字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.05.016

摘要

禁止光学空间周期"Forbidden Pitch"是光学临近效应修正(OPC)中必须要面对并解决的问题之一.它主要出现在1.1～1.4倍(曝光波长/数值孔径)的范围内.由于在此范围内宅间图像对比度的削弱,这种效应会导致图形的线宽明显小于其他空间周期.目前业界常用的规避手段主要是通过采集大量的数据校正光学临近效应修正模型,但随着半导体进入深亚微米时代,数据的采集量、置信度越发重要和关键.因此,成功地采用光学临近效应修正技术的关键和前提是建立一套成熟的相关工艺.本文着重研究空间光学和光刻工艺技术的相互关系.我们发现在禁止光学空间周期附近的光学表现与有效高斯模糊息息相关.较长的有效光酸扩散长度将显著地消弱光刻表现,进而影响禁止光学空间周期的图形表现.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵宇航		14	18	3.0	4.0
2	朱骏		3	4	1.0	2.0
3	曹永峰		1	0	0.0	0.0