Flash存储器的内建自测试设计

• 作者: 晏筱薇 雷加
• 来源期刊: 科技与创新
• 关键词: flash存储器 故障模型 内建自测试
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 电子设计
• 页码范围: 296-297,283
• 页数: 3页
• 分类号: TP333.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-0570.2008.05.119

摘要

内建自测试是一种有效的测试存储器的方法.分析了NOR型flash存储器的故障模型和测试存储器的测试算法,在此基础上,设计了flash存储器的内建自测试控制器.控制器采用了一种23位的指令,并且通过JATG接口来控制,结果通过扫描链输出.验证结果表明,设计的内建自测试结构对固定故障、转换故障、桥接故障、耦合故障、栅极干扰、漏极干扰、过渡擦除和读干扰均有100%的故障覆盖率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	雷加	桂林电子科技大学电子工程学院	38	197	8.0	11.0
2	晏筱薇	桂林电子科技大学电子工程学院	1	6	1.0	1.0