用激光分子束外延在Si衬底上外延生长高质量的TiN薄膜

• 作者: 仇杰 何萌 刘国珍 吕惠宾 邢杰
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 激光分子束外延 TiN单晶薄膜 外延生长
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 1236-1240
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2727字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.02.099

摘要

采用激光分子束外延技术,利用两步法,在Si单晶衬底上成功地外延生长出TiN薄膜材料.原子力显微镜分析结果显示, TiN薄膜材料表面光滑,在10 μm×10 μm范围内,均方根粗糙度为0.842 nm.霍耳效应测量结果显示,TiN薄膜在室温条件下的电阻率为3.6×10-5 Ω·cm,迁移率达到583.0 cm2/V·S,表明TiN薄膜材料是一种优良的电极材料.X射线θ-2θ扫描结果和很高的迁移率均表明,高质量的TiN薄膜材料被外延在Si衬底上.进一步在TiN/Si衬底上外延生长SrTiO3薄膜的结果表明,在Si上外延的TiN薄膜不仅具有很好的热稳定性,而且可以作为缓冲层或底电极外延生长其他的薄膜材料及多层结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕惠宾	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	21	125	7.0	10.0
2	何萌	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	9	25	3.0	4.0
3	刘国珍	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	2	11	1.0	2.0
4	仇杰	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	2	11	1.0	2.0
5	邢杰	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	3	11	1.0	3.0