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摘要:
采用激光分子束外延技术,利用两步法,在Si单晶衬底上成功地外延生长出TiN薄膜材料.原子力显微镜分析结果显示, TiN薄膜材料表面光滑,在10 μm×10 μm范围内,均方根粗糙度为0.842 nm.霍耳效应测量结果显示,TiN薄膜在室温条件下的电阻率为3.6×10-5 Ω·cm,迁移率达到583.0 cm2/V·S,表明TiN薄膜材料是一种优良的电极材料.X射线θ-2θ扫描结果和很高的迁移率均表明,高质量的TiN薄膜材料被外延在Si衬底上.进一步在TiN/Si衬底上外延生长SrTiO3薄膜的结果表明,在Si上外延的TiN薄膜不仅具有很好的热稳定性,而且可以作为缓冲层或底电极外延生长其他的薄膜材料及多层结构.
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文献信息
篇名 用激光分子束外延在Si衬底上外延生长高质量的TiN薄膜
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 激光分子束外延 TiN单晶薄膜 外延生长
年,卷(期) 2008,(2) 所属期刊栏目 物理学交叉学科及有关科学技术领域
研究方向 页码范围 1236-1240
页数 5页 分类号 O4
字数 2727字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.02.099
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吕惠宾 中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室 21 125 7.0 10.0
2 何萌 中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室 9 25 3.0 4.0
3 刘国珍 中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室 2 11 1.0 2.0
4 仇杰 中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室 2 11 1.0 2.0
5 邢杰 中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室 3 11 1.0 3.0
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激光分子束外延
TiN单晶薄膜
外延生长
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物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
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23474
总下载数(次)
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总被引数(次)
174683
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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