无掩模硅图形衬底上3C-SiC的异质外延生长

• 作者: 刘兴昉 孙国胜 宁瑾 李晋闽 王雷 赵万顺 赵永梅
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 3C-SiC LPCVD 图形衬底
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1254-1257
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 392字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.07.005

摘要

采用低压化学气相沉积方法在无掩模的硅图形衬底上异质外延生长3C-SiC.硅图形衬底采用光刻和ICP刻蚀得到.图形由平行长条状沟槽和台面组成,其中沟槽宽度为1～10μm不同间隔,沟槽之间距离为1～10μm不同间隔.对于在不同的沟槽和台面尺寸区域3C-SiC的生长进行了详细研究.采用扫描电镜分别观察了不同区域的生长形貌,分析了图形衬底结构上SiC的生长行为.其中合并生长形成的空气隙结构可以释放由Si和SiC晶格失配引起的应力,从而可以用来解决SiC生长中的晶片翘曲问题,进行厚膜生长.XRD结果表明此无掩模硅图形衬底上得到3C-SiC(111)取向生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晋闽	中国科学院半导体研究所材料中心	75	652	13.0	23.0
2	孙国胜	中国科学院半导体研究所材料中心	28	244	9.0	15.0
3	王雷	中国科学院半导体研究所材料中心	192	2018	26.0	36.0
4	赵万顺	中国科学院半导体研究所材料中心	17	77	5.0	8.0
5	赵永梅	中国科学院半导体研究所材料中心	7	14	2.0	3.0
7	刘兴昉	中国科学院半导体研究所材料中心	8	28	2.0	5.0
10	宁瑾		1	2	1.0	1.0