一种65nm CMOS互连线串扰分布式RLC解析模型

• 作者: 朱樟明 杨银堂 钱利波
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米CMOS 互连耦合串扰 分布式RLC解析模型 参数提取 函数逼近
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 423-427
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 字数: 646字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.03.005

摘要

基于65nm CMOS工艺,综合考虑电容耦合与电感耦合效应,提出了一种互连线耦合串扰分布式RLC解析模型.采用函数逼近理论与降阶技术,在斜阶跃输入信号下,提出了被干扰线远端的串扰数值表达式.基于65nm CMOS工艺,对不同的互连耦合尺寸下的分布式RLC串扰解析模型和Hspice仿真结果进行了比较,误差绝对值都在2.50%内,能应用于纳米级SOC的计算机辅助设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所	420	2932	23.0	32.0
2	朱樟明	西安电子科技大学微电子研究所	164	1318	18.0	26.0
3	钱利波	西安电子科技大学微电子研究所	5	53	5.0	5.0