Al掺杂纤锌矿ZnO的电子结构研究

• 作者: 冯晶 杜晔平 阮进 陈敬超
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体 ZnO 掺杂 第一原理计算
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 132-135
• 页数: 4页
• 分类号: TB3
• 字数: 3198字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2008.12.036

摘要

采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势法,电子交换关联能结合广义梯度近似(GGA)PW91形式,对Al原子不同掺杂位置的ZnO超原胞进行了几何优化,计算分析了晶体结构参数及掺杂模型的电子结构.结果表明,几何优化后掺杂晶胞z轴方向出现收缩现象,两种模型在杂质掺入后半导体ZnO导电能力提高,形成置换杂质模型的可能性要大于间隙杂质模型,掺杂Al和基体ZnO的原子数配比直接影响导电性能,最后给出了电子轨道跃迁规律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈敬超	昆明理工大学稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室及云南省新材料制备与加工重点实验室	178	1833	21.0	34.0
2	杜晔平	昆明理工大学稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室及云南省新材料制备与加工重点实验室	9	79	6.0	8.0
3	冯晶	昆明理工大学稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室及云南省新材料制备与加工重点实验室	35	314	10.0	17.0
4	阮进	昆明理工大学稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室及云南省新材料制备与加工重点实验室	3	29	3.0	3.0