甚低频固态发射机功率器件分析

• 作者: 柳超 翟琦 董颖辉
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 甚低频 开关放大器 MOSFET IGBT
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 通信设备
• 页码范围: 100-102
• 页数: 3页
• 分类号: TN3|TN92
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2008.11.034

摘要

甚低频发射机用来给潜艇发信,功率达数百千瓦至数千千瓦,如今可以采用MOSFET和IGBT等固态器件作为大功率开关放大器,但选择MOSFET还是IGBT,设计人员需要做出选择.分析了这两类器件的开关特性及导通特性,比较了它们的工作特点,介绍了一种典型的大功率开关放大器应用电路,讨论了甚低频发射机在选择大功率放大器器件时应考虑的一些条件,如频率、电压、开关时间等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柳超	海军工程大学电子工程学院	55	203	8.0	11.0
2	董颖辉	海军工程大学电子工程学院	33	82	5.0	6.0
3	翟琦	海军工程大学电子工程学院	11	24	4.0	4.0