离子注入方法形成电流限制孔径及其对器件光电特性的影响

• 作者: 刘成 劳燕锋 吴惠桢 曹春芳 曹萌
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电致发光器件结构 电流限制孔径 离子注入
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 765-769
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 4259字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.04.029

摘要

采用离子注入方法和后续的退火工艺制作了1.3μm面发射电致发光(EL)器件结构的电流限制孔径,通过对此结构的电学和光学特性进行测试分析,获得了离子注入和退火温度的优化参数,工艺参数为离子注人剂量5×1014cm-2和450℃退火1min.结果显示随着电流限制孔径的缩小,器件的电阻呈线性增大;电流限制孔径的形成显著增强1.3μm面发射器件结构的电致发光强度,孔径为15μm的样品是没有限制孔径样品的4倍(注入电流3mA),并就电流限制孔对EL器件结构电致发光的影响进行了物理解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘成	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	56	294	8.0	15.0
5	曹春芳	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	12	34	4.0	5.0
6	劳燕锋	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	24	69	5.0	7.0
7	曹萌	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	15	61	5.0	7.0