改善增益平坦度的新型InGaP/GaAs HBT功率放大器单片设计

• 作者: 尹军舰 张海英 朱旻
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 功率放大器 MMIC HBT
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1441-1444
• 页数: 4页
• 分类号: TN72
• 字数: 873字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.08.003

摘要

介绍了一款应用于3GHz通信的基于改进增益平坦度的功率放大器设计,其由商用InGaP/GaAs异质结双极性晶体管(HBT)工艺制作.为了以简单方式改善增益平坦度,除了耦合旁路电容以及射频扼流圈外,在实际电路中没有加入额外部件.其测量线性增益为23dB,大信号增益平坦度为±0.25dB,非常贴近仿真和日标值.此两级功放400MHz带宽下的输出线性功率为31dBm,增益附加效率为44%.本电路通过良好的失真补偿电路和扼流圈模型的使用,成功地改善了增益平坦度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
2	尹军舰	中国科学院微电子研究所	31	99	6.0	7.0
3	朱旻	中国科学院微电子研究所	18	38	4.0	4.0