第六代1200V槽栅FS-IGBT模块

• 作者: 吴郁 张彦飞 游雪兰
• 来源期刊: 变频器世界
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT模块 槽栅 模块技术 封装技术 噪声辐射 模块设计 集成模块 额定值
• 年，卷（期）: bpqsj_2008,（9）
• 页码范围: 61-64
• 页数: 4页
• 分类号: TN322.8

摘要

本文介绍了第六代IGBT模块技术。新模块设计的关键词是“低噪声辐射”、“高性能”和“紧凑性”。低热阻的封装技术与最近发展起来的第六代V—IGBT的结合使技术上的突破得以实现。尺寸为122mm×62mm EP3封装豹PIM（功率集成模块）功率额定值已被提高到12（X）V-150A，对于17mm厚的新型二合一模块，功率额定值则达到1200V-600A。