金刚石膜电化学清洗硅片表面有机沾污的研究

• 作者: 刘玉岭 张建新 檀柏梅 牛新环 边永超 高宝红 黄妍妍
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 有机沾污 硅片表面清洗 掺硼金刚石膜电极 强氧化剂 微粗糙度 电化学清洗
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 473-477
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.97
• 字数: 938字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.03.014

摘要

采用金刚石膜电极的电化学方式在专用水基清洗剂中不断产生强氧化剂过氧焦磷酸根离子(P2O4-8),并将此方式作为金刚石膜电化学清洗工艺步骤的第一步,用于氧化去除硅片表面的有机沾污.通过与RCA清洗进行对比实验,并应用X射线光电子谱和原子力显微镜进行清洗效果的检测,结果表明,本清洗工艺处理后的硅片表面有机碳含量更少,微粗糙度小,明显优于现有的RCA清洗工艺.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	檀柏梅	河北工业大学微电子研究所	85	534	13.0	18.0
2	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
3	牛新环	河北工业大学微电子研究所	69	406	10.0	17.0
4	张建新	河北工业大学微电子研究所	45	348	10.0	15.0
5	高宝红	河北工业大学微电子研究所	29	61	4.0	5.0
6	黄妍妍	河北工业大学微电子研究所	10	25	2.0	4.0
7	边永超	河北工业大学微电子研究所	2	11	2.0	2.0