全耗尽SOI MOSFETs阈值电压和电势分布的温度模型

• 作者: 周益春 唐俊雄 唐明华 张俊杰 杨锋 郑学军
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 全耗尽SOI MOSFETs 电势 阈值电压
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 45-49
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 1259字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.01.009

摘要

提出了一个全耗尽SOI MOSFETs器件阈值电压和电势分布的温度模型.基于近似的抛物线电势分布模型,利用适当的边界条件对二维的泊松方程进行求解.同时利用阈值电压的定义得到了阈值电压的模型.该温度模型详细地研究了电势分布和阈值电压跟温度之间的变化关系,同时还近似地探讨了短沟道效应.为了进一步验证模型的正确性,利用SILVACO ATAS软件进行了相应的模拟.结果表明,模型计算与软件模拟吻合较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周益春	湘潭大学材料与光电物理学院低维材料及应用技术教育部重点实验室	108	552	11.0	21.0
2	唐明华	湘潭大学材料与光电物理学院低维材料及应用技术教育部重点实验室	19	101	4.0	10.0
3	唐俊雄	湘潭大学材料与光电物理学院低维材料及应用技术教育部重点实验室	2	1	1.0	1.0
4	杨锋	湘潭大学材料与光电物理学院低维材料及应用技术教育部重点实验室	2	1	1.0	1.0
5	张俊杰	湘潭大学材料与光电物理学院低维材料及应用技术教育部重点实验室	4	11	1.0	3.0