双沟道实空间电子转移晶体管的设计、研制和特性测量

• 作者: 于欣 周均铭 张世林 梁惠来 毛陆虹 牛萍娟 王伟 王文新 郭维廉 陈宏 齐海涛
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: RSTT 高速化合物三端功能器件 三端负阻器件 热电子器件 电子转移器件
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 136-139
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.3
• 字数: 2452字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.01.025

摘要

采用双沟道结构和GaAs衬底,成功设计研制了双沟道实空间电子转移晶体管.它具有RSTT典型的"A"形负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区.通过栅压可改变各种负阻参数值,当栅压从0.6V增至1.0V时,PVCR的变化范围是2.1～10.6峰值电流跨导约为3×10-4 S.负阻参数VP,VV和开始产生负阻的栅极阈值电压都小于国际上同类器件的报道值,因此更适合低功耗的运用.