8GHz带有RC稳定网络的AIGaN/GaN HEMTs内匹配功率合成放大器的设计

• 作者: 刘新宇 刘果果 刘键 庞磊 张辉 曾轩 李诚瞻 王亮 袁婷婷 陈中子 陈晓娟
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMTs 内匹配 功率合成 微波功率放大器
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1445-1448
• 页数: 4页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 600字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.08.004

摘要

设计了工作在8GHz的基于AIGaN/GaN HEMTs的内匹配功率合成放大器.输入和输出匹配电路制作在0.381mm厚的氧化铝陶瓷基片上,为了提高整个电路的稳定因子K,在电路输入端增加了片上RC有损网络.在8GHz测出连续波ldB压缩点时的输出功率为PldB=43dBm(20W),线性增益7.3dB,最大PAE为38.1%,合成效率达到70.6%.