增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT栅退火工艺

• 作者: 付晓君 刘亮 张海英 徐静波 李潇 黎明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT 退火 阈值电压 环形振荡器
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1487-1490
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 397字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.08.014

摘要

针对InGaP/AlGaAs/lnGaAs PHEMT器件,进行了Ti/Pt/Au和Pt/Ti/Pt/Au两种栅金属结构的退火实验,通过实验研究比较,得到了更适用于增强型器件的退火工艺,利用Ti/Pt/Au结构,在320℃退火40min,使器件阈值电压正向移动大约200mV,从而成功制作了高成品率的稳定一致的增强型器件,保证了增强型器件阈值电压在零以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静波	中国科学院微电子研究所	15	55	4.0	6.0
2	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
3	刘亮	中国科学院微电子研究所	87	679	10.0	25.0
4	李潇	中国科学院微电子研究所	23	130	7.0	10.0
5	黎明	中国科学院微电子研究所	41	329	12.0	17.0
6	付晓君	中国科学院微电子研究所	5	21	2.0	4.0