MOCVD生长的GaN:Mg外延膜的光电性质

• 作者: 张书明 杨辉 梁骏吾 王莉莉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 霍尔效应 光致发光 p型GaN
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 29-32
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 386字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.01.006

摘要

用MOCVD技术生长GaN:Mg外延膜,在550～950℃温度范围内,对样品进行热退火,并进行室温Hall、光致发光谱(PL)测试.Hall测试结果表明,850℃退火后空穴浓度达到8×1017 cm-3以上,电阻率降到0.8Ω·cm以下.室温PL谱有两个缺陷相关发光峰,位于2.8eV的蓝光峰(BL)以及3.27eV附近的紫外峰(UVL).蓝光峰对紫外峰的相对强度(BL/UVL)在550℃退火后升高,之后随着退火温度的升高(650～850℃)而下降,继续提高退火温度至950℃,BL/UVL急剧上升.空穴浓度先随着Mg掺杂浓度的增加而升高;但继续增加Mg掺杂浓度,空穴浓度反而下降.这些结果表明要实现空穴浓度达1018 cm-3,不仅要考虑H的钝化作用,还要考虑Mg受主的自补偿效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨辉	中国科学院半导体研究所	179	2701	25.0	46.0
2	王莉莉	中国科学院半导体研究所	35	511	12.0	22.0
3	张书明	中国科学院半导体研究所	11	20	3.0	4.0
4	梁骏吾	中国科学院半导体研究所	13	393	4.0	13.0