区熔速率对电子束悬浮区熔钼单晶体质量的影响

• 作者: 傅恒志 刘林 张军 滑喜宝 王红
• 来源期刊: 铸造技术
• 学科: 工学
• 关键词: 钼单晶体 电子束悬浮区熔 区熔速率
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 200-202
• 页数: 3页
• 分类号: TG146.4
• 字数: 1778字
• 语种: 中文

摘要

钼单晶是一种广泛应用的重要的难熔金属材料.利用籽晶法电子束悬浮区熔技术成功制备了晶体取向为(111)的钼单晶体,采用多种分析测试手段,研究了区熔速率对钼单晶体质量的影响.研究表明:电子束悬浮区熔钼单晶体内存在大量的亚结构,位错在结束的地方表现为山峰状的三角形突起,而亚晶界是由这些山峰状突起连接而成;区熔速率对单晶体质量有着显著的影响.区熔速率越高,单晶(111)晶向偏离角越小,但晶体中的缺陷越多.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘林	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	239	1878	21.0	30.0
2	傅恒志	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	283	2419	24.0	35.0
3	张军	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	134	795	16.0	21.0
4	滑喜宝	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	1	2	1.0	1.0
5	王红	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	10	222	5.0	10.0