具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT的直流特性

• 作者: 刘新宇 吴德馨 和致经 魏珂
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AIGaN/GaN 高迁移率晶体管 肖特基特性 击穿电压 场板结构
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 554-558
• 页数: 5页
• 分类号: TN325.3
• 字数: 3174字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.03.029

摘要

研制成功具有场板结构的AIGaN/GaN HEMT器件,对源场板、栅场板器件的性能进行了分析.场板的引入减小了器件漏电和肖特基漏电,提高了肖特基反向击穿电压.源漏间距4靘的HEMT的击穿电压由常规器件的65V提高到100V以上,肖特基反向漏电由37霢减小到5.7霢,减小了一个量级.肖特基击穿电压由常规结构的78V提高到100V以上.另外,还初步讨论了高频特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	吴德馨	中国科学院微电子研究所	58	345	11.0	14.0
3	和致经	中国科学院半导体研究所	36	229	9.0	13.0
4	魏珂	中国科学院微电子研究所	24	134	5.0	10.0