IR成功研制GaN功率器件技术平台

• 来源期刊: 变频器世界
• 学科: 工学
• 关键词: 技术平台 功率器件 GAN IR 氮化镓
• 年，卷（期）: bpqsj_2008,（10）
• 页码范围: 14
• 页数: 1页
• 分类号: TN303

摘要

International Rectifier（IR）公司日前宣布，他们已成功研制出具有革命意义的基于氮化镓（GaN）材料的新一代功率器件技术平台，该平台将为诸多领域内的关键应用提供强力支持。