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摘要:
基于中国科学院微电子研究所的GaAs PIN二极管工艺,研究了一种单片单刀单掷开关.为了仿真该单片单刀单掷开关,研制开发了GaAs PIN二极管的小信号模型.在5.5~7.5GHz的频段内,开关正向导通时的插入损耗低于1.6dB,回波损耗大于10dB,开关关断状态的隔离度大于23dB.
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开关
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 C波段GaAs PIN二极管单片单刀单掷开关
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 C波段 单刀单掷 开关 GaAs PIN二极管
年,卷(期) 2008,(5) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 879-882
页数 4页 分类号 TN454
字数 486字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.05.014
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张健 中国科学院微电子研究所 272 3714 30.0 51.0
2 张海英 中国科学院微电子研究所 114 574 11.0 17.0
3 尹军舰 中国科学院微电子研究所 31 99 6.0 7.0
4 吴茹菲 中国科学院微电子研究所 8 18 3.0 3.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
C波段
单刀单掷
开关
GaAs
PIN二极管
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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