SiC单晶生长炉温度场有限元分析及模拟

• 作者: 刘雪绞 徐伟
• 来源期刊: 重庆工学院学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: SiC单晶 温度场 有限元分析
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 机械·材料
• 页码范围: 42-46
• 页数: 5页
• 分类号: TF062
• 字数: 2435字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-8425-B.2008.11.010

摘要

采用有限元分析方法对物理气相传输法SiC单晶生长炉内温度场进行研究,采用有限元模拟软件对生长炉内温度分布进行模拟,得到了炉内温度的分布结果.分析了炉内的温度分布规律及对SiC单晶生长速率的影响,提出调节SiC生长温度区域的措施.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐伟	太原理工大学理学院	6	30	3.0	5.0
2	刘雪绞	太原理工大学理学院	2	8	1.0	2.0