原文服务方: 科技与创新       
摘要:
本文阐述了毫米波CMOS集成电路的关键技术之一,Si基共面波导(CPW)的机理和等效电路模型.通过电磁仿真(HFSS软件)提取CPW的S参数并计算相应的分布参数,建立了基于硅衬底的标准0.18μm CMOS工艺的毫米波CPW模型.实现了频率可达40GHz,特性阻抗分别为36、50和70Ω的CPW元件库.
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文献信息
篇名 Si基毫米波共面波导建模
来源期刊 科技与创新 学科
关键词 共面波导 毫米波 CMOS 建模
年,卷(期) 2008,(1) 所属期刊栏目 仿真技术
研究方向 页码范围 192-194
页数 3页 分类号 TN432
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1008-0570.2008.01.079
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王文骐 22 282 8.0 16.0
2 黎庶 1 5 1.0 1.0
3 胡嘉杰 3 12 3.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
共面波导
毫米波
CMOS
建模
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
科技与创新
半月刊
2095-6835
14-1369/N
大16开
2014-01-01
chi
出版文献量(篇)
41653
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202805
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