磁控溅射与氨化法催化合成GaN纳米棒

• 作者: 庄惠照 李红 杨兆柱 秦丽霞 薛成山 陈金华
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米棒 GaN 溅射 单晶
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 557-558,562
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 1915字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2008.04.009

摘要

使用一种新奇的稀土元素作为GaN纳米棒生长的催化剂,通过氨化溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜成功合成了大规模的GaN纳米棒.采用扫描电子显微镜,X射线衍射,透射电子显微镜,高分辨透射电子显微镜和傅立叶红外吸收光谱来检测样品的形态,结构和成分.研究结果表明,合成的样品为六方纤锌矿结构的单晶GaN纳米棒.最后讨论了GaN纳米棒的生长机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄惠照	山东师范大学半导体研究所	72	276	9.0	11.0
2	薛成山	山东师范大学半导体研究所	117	476	11.0	13.0
3	陈金华	山东师范大学半导体研究所	11	19	2.0	3.0
4	秦丽霞	山东师范大学半导体研究所	10	19	2.0	3.0
5	李红	山东师范大学半导体研究所	29	57	4.0	5.0
6	杨兆柱	山东师范大学半导体研究所	12	23	2.0	3.0