p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响

• 作者: 周梅 赵德刚
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: GaN 外探测器 量子效率 暗电流
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4570-4574
• 页数: 5页
• 字数: 2528字
• 语种: 中文

摘要

研究了p-GaN层厚度对GaN基pin结构紫外探测器性能的影响,模拟计算表明:较厚的p-GaN层会减小器件的量子效率,然而同时也会减小器件的暗电流,较薄的p-GaN层会增加器件的量子效率,但是同时也增加了器件的暗电流,进一步的分析表明,金属和p-GaN之问的结电场是出现这种现象的根本原因,在实际的器件设计中,应该根据实际需要选择p型层的厚度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵德刚	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	42	214	9.0	12.0
2	周梅	中国农业大学理学院应用物理系	22	69	5.0	7.0