高压双扩散漏端MOS晶体管双峰衬底电流的形成机理及其影响

• 作者: 李文军 杨华岳 王俊 王磊 董业民 邵丽 邹欣
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 高压器件 衬底电流 可靠性
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4492-4496
• 页数: 5页
• 字数: 3196字
• 语种: 中文

摘要

利用0.15μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30 V的双扩散漏端MOS晶体管(double diffused drain MOS,DDDMOS).观察到DDDMOS的衬底电流-栅压曲线(Ih-Vg曲线)有两个峰.通过实验和TCAD模拟揭示了DDDMOS衬底电流的形成机理,发现衬底电流第一个峰的成凶与传统MOS器件相同;第二个峰来自于发牛在漂移区远离沟道一侧高场区的碰撞离化电流.通过求解泊松方程和电流连续性方程,分析了器件的物理和几何参数对导致衬底电流重新上升的漂移Ⅸ电场的影响.在分析了DDDMOS衬底电流的第二个峰形成机理的基础上,考察了其对器件的可靠性的影响.