4H-SiC同质外延的绿带发光与缺陷的关系

• 作者: 张义门 张玉明 栾苏珍 贾仁需 郭辉
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 绿带发光 4H-SiC同质外延 晶体缺陷
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4456-4458
• 页数: 3页
• 字数: 1265字
• 语种: 中文

摘要

利用室温光致发光谱(PL)对CVD法生长的4H-SiC同质外延特性进行研究,发现有绿带发光(GL)特性.用扫描电子显微镜(SEM)、二次离子质谱(SIMS)和X射线光电了谱(XPS)技术获得了4H-SiC样品纵截面形貌和元素相对含量分布.结果表明,GL与4H-SiC晶体中碳空位(Vc)及络合体缺陷相关,Vc和缓冲层的扩展缺陷(点缺陷和刃位错等)是GL微观来源.GL的半峰宽(FWHM)反映了参与复合发光的Vc及其络合缺陷能级分散的程度.室温下获得的样品GL强度和光谱波长度可用于分析4H-SiC外延中缺陷分布和晶体质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子学院宽禁带中导体材料与器件教育部重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子学院宽禁带中导体材料与器件教育部重点实验室	126	777	15.0	20.0
3	贾仁需	西安电子科技大学微电子学院宽禁带中导体材料与器件教育部重点实验室	12	53	4.0	7.0
4	栾苏珍	西安电子科技大学微电子学院宽禁带中导体材料与器件教育部重点实验室	7	28	3.0	5.0
5	郭辉	西安电子科技大学微电子学院宽禁带中导体材料与器件教育部重点实验室	21	161	9.0	12.0