AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管肖特基高温退火机理研究

• 作者: 冯倩 张进城 林若兵 王冲 王欣娟 郝跃
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: AlGaN/CaN高电子迁移率晶体管 肖特基接触 界面陷阱
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4487-4491
• 页数: 5页
• 字数: 3060字
• 语种: 中文

摘要

在不同应力条件下,研究了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火前后的电流崩塌、栅泄漏电流以及击穿电压的变化.结果表明,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管通过肖特基高温退火以后,器件的特性得到很大的改善.利用电镜扫描(SEM)和x射线光电子能谱(xPs)对高温退火前、后的肖特基接触界面进行深入分析,发现器件经过高温退火后,Ni和^JGaN层之间介质的去除,并且AlGaN材料表面附近的陷阱减少,使得肖特基有效势垒提高.从而提高器件的电学特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张进城	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体技术重点实验室	52	301	9.0	14.0
2	冯倩	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体技术重点实验室	35	224	7.0	13.0
3	王冲	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体技术重点实验室	17	107	7.0	9.0
4	林若兵	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体技术重点实验室	3	25	3.0	3.0
5	王欣娟	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体技术重点实验室	2	14	2.0	2.0