SiNx薄膜的性质及其在开管扩Zn中的应用

• 作者: 毛陆虹 谢生 陈朝 陈松岩
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化硅 等离子增强化学汽相沉积 钝化 磷化铟 开管Zn扩散
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1519-1521
• 页数: 3页
• 分类号: O484.1|O484.5
• 字数: 2137字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2008.09.030

摘要

采用PECVD方法制备了SiNx薄膜,用椭偏测厚仪、红外光谱仪和俄歇能谱仪研究了SiNx薄膜的性质.测试结果表明,SiNx薄膜的折射率随SiH4流量增加不断增大,当SiH4/NH3为38/8时,沉积SiNx薄膜的折射率为1.93,对应的Si/N比约为0.75.FTIR测试结果表明,随着SiH4/NH3流量的增加,N-H含量降低,Si-H含量升高,当SiH4/NH3为38/8时,SiNx薄膜的H含量最少.通过优化沉积条件和层厚度,将SiNx薄膜应用于InP材料的开管扩Zn中,并成功制备了平面结构的InP/InGaAs PIN探测器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛陆虹	天津大学电子信息工程学院	165	736	12.0	20.0
2	陈朝	厦门大学物理系	63	420	11.0	18.0
3	陈松岩	厦门大学物理系	68	248	8.0	12.0
4	谢生	天津大学电子信息工程学院	68	232	7.0	11.0